STGP30M65DF2 Tranzystor IGBT
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Napięcie kolektor-emiter = 650V; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 30A; Prąd kolektora w impulsie = 120A; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 258W; Rodzaj opakowania = tuba; Cena jednostkowa = Nie; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 80nC
